研究了低温烧成多层片式Zn0压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响。研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能。当内电极含Ag量为70%，具有最好的电性能；而内电极为纯Ag时，电性能最差，压敏电压和限制电压过分地升高，漏电流增大，非线性系数减小。反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小。伏安特性和复数阻抗分析表明，随着内电极中Ag含量的升高，Ag扩散进入ZnO晶格加剧，降低了施主浓度Nd，导致ZnO晶粒电阻增大，以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加，使得多层
