利用高频磁场制备自生梯度复合材料的熔体温度选择 (2004年)

研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/ Mg2Si/ Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明：Al+ Mg2Si二元共晶区(555～595 ℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的增强颗粒容易被外加电磁阿基米德力分离。高频磁场施加温度过高或过低,均不易使增强颗粒产生梯度分布效果。