Nanosecond-pulsed, dual-wavelength, passively Q-switched ytterbi...

根据提供的文件信息，我们可以提炼出以下知识点： 标题中提到了“Nanosecond-pulsed, dual-wavelength, passively Q-switched ytterbium-doped bulk laser based on few-layer MoS2”，这意味着所讨论的激光器是通过被动调Q（Q-switching）方式实现的，发射的是纳秒级脉冲，并且是双波长的，掺杂了 ytterbium（Yb）的固态激光器，且基于几层的二硫化钼（MoS2）。 在描述中，“A compact saturable absorber mirror (SAM) based on few-layer molybdenum disulfide (MoS2)” 指出，使用了基于少数层二硫化钼的紧凑型饱和吸收器镜（SAM），这个SAM用作高效的饱和吸收器，用于被动调Q固态激光器。 标签中包含“Lasers, solid-state; Nonlinear; Nanomaterials”，这表明该研究主要与固态激光器、非线性光学以及纳米材料相关联。 从提供的部分内容来看，文章详细讨论了使用二硫化钼（MoS2）作为饱和吸收材料来实现固态激光器中的被动调Q开关。MoS2是一种二维材料，其具有优越的机械性能和紧凑的尺寸，非常适合用来构建小型化的光电器件。文章中提到的MoS2的几层结构，即few-layer MoS2，表示所使用的MoS2厚度只有几层原子，这样的结构可以展现出与块体材料不同的电子性质。 被动调Q激光器是一种通过饱和吸收器（SA）来实现腔内损耗周期性调节，从而将连续波（CW）激光转换为脉冲激光的技术。这种方法具有极佳的机械稳定性和紧凑性。Cr4+:YAG是一种常用的饱和吸收体，但成本较高。而半导体饱和吸收镜（SESAMs）作为Q开关的应用受到了一定的限制，原因是其制造过程相对复杂。 文章的主要成果之一是实现了由MoS2 SAM被动调Q的掺杂了ytterbium的激光器，在1微米波长下产生了最短的182纳秒脉冲。这是基于MoS2饱和吸收体的Q开关固态激光器所获得的最短脉冲。该激光器获得了0.6瓦的最大平均输出功率，斜率效率为24%，对应于高达1.8微焦耳的单脉冲能量。此外，还成功实现了在1025.2和1028.1纳秒的双波长Q开关。 本文的研究结果表明，few-layer MoS2 nanoplatelets作为非线性光学开关，对于实现高效率的脉冲固态激光器具有巨大的潜力。 通过上述知识点的阐述，我们可以看出，该研究的重点在于利用二维纳米材料的特性来开发高效紧凑的激光技术。二硫化钼的应用不仅展示了其在光学开关中的优势，还体现了其在减少激光器尺寸、提高输出性能方面的潜在应用前景。此外，这项研究也突出了新型纳米材料在发展新一代高性能激光器中的重要角色。