Tb掺杂对CoNbZr纳米薄膜软磁性和微波磁性的影响 (2009年)

采用磁控溅射工艺制备CoNbZrTb纳米薄膜，研究了掺杂稀土元素Tb对薄膜软磁性能、微波磁导率及其频谱特性的影响。结果表明：少量Tb掺杂（＜2%，摩尔分数）对该类薄膜的微结构和软磁性能影响较小，薄膜仍可保持非晶态结构和良好的软磁性能，但Tb掺杂可以显著增强薄膜磁谱的弛豫性，从而影响其微波磁导率和磁损耗；随Tb掺杂量的增加，薄膜的磁各向异性场和共振频率得以有效提高；薄膜样品在2GHz处复磁导率的虚部均大于200。掺杂少量Tb的CoNbZrTb非晶态纳米薄膜在109Hz微波段具有较高磁损耗，有望在超薄层吸波材