元器件应用中的英飞凌推出单片集成逆导二极管的RC-H5

导读：英飞凌科技股份公司日前宣布推出单片集成逆导二极管的RC-H5,此款器件的推出不仅是对英飞凌性能领先的RC-H系列产品的扩展，而且也是现有广泛使用RC-H3的重大技术突破。 　　RC-H5是英飞凌针对感应加热应用新推逆导IGBT,其具备的优势特性主要体现在： 　　（1）开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30KHz; 　　（2）配备的系统效率提高0.5%,使系统整体效率超过92%; 　　（3）最高结温达175℃，具备了更加出色的热性能； 　　（4）导通尖峰电流降低10%,从而减少系统中无源元件的压力，进一步提高了可靠性； 　　（5）可供选择的电流级别