元器件应用中的Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。　　新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：Si4642DY整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片