目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(MOCVD)法制造的；去年初，夏普(Sharp)公司在英国实验室的Jon Heffernan等人首次以分子束外延法，制作出波长405 nm激光器二极管，然而最初这些组件仅能以脉冲方式工作，且临界电流非常高。若要应用于商业上，这些激光器势必要能连续操作，且功率要够大才能读取光盘上的资料。现在，该小组终于以分子束外延法，制作出连续发光的氮化铟镓(InGaN)蓝光激光二极管。 Heffernan认为此举证实了MBE确实是可用于氮化物激光器的成长技术，而夏普是目前唯一同时拥有MBE和MOCVD技术的领先者。该小组最新研
