分子束外延( Molecular Beam Epitaxy, MBE
)
在超高真空环境下,使具有一定热能的一种或多种分子
(原子)束流喷射到晶体衬底,在衬底表面发生反应的过程
,由于分子在“飞行”过程中几乎与环境气体无碰撞,以分子
束的形式射向衬底,进行外延生长,故此得名。
属性:一种真空蒸镀方法
始创: 20 世纪 70 年代初期,卓以和,美国 Bell 实验室
应用:外延生长原子级精确控制的超薄多层二维结构材料和
器件(超晶格、量子阱、调制掺杂异质结、量子阱激光器、
高电子迁移率晶体管等);结合其他工艺,还可制备一维和
零维的纳米材料(量子线、量子点等)。