硅基大位移低驱动电压静电微驱动器变形分析 (2012年)

针对目前横向加载单向变形静电微驱动器存在的位移过小或驱动电压过大的问题,提出一种基于纵横弯曲变形原理的硅基大位移低电压静电微驱动器模型,将弹性力由传统意义的恢复力改变为驱动力,推导出微驱动器挠度变形的控制方程.通过仿真发现,该驱动器的驱动位移高达145μm,远大于目前微驱动器的变形量;驱动电压仅为5V,远低于目前微驱动器的驱动电压值.