由于硫元素与氧元素化学特性相近,利用硫在Ni基带表面形成的c(2×2) - S超结构可以有效地控制氧化物缓冲层在Ni基带表面的织构。本研究提出将单质硫在120℃下挥发,利用单质硫在基带表面的吸附与脱附形成有序c(2×2) - S超结构的新技术路线。X光电子能谱(XPS)结果显示,采用新技术处理的金属基带表面有明显的硫元素,基带表面Ni和S的原子比例符合c(2×2)结构中S的覆盖度,即0.5的要求。在经过硫化处理后的NiW基带表面制备缓冲层,结果显示,新硫化处理技术改善了NiW基带表面的物理化学特性,有利于
