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GaAs/(GaAl)As PNPN异质结激光器
GaAs/(GaAl)As PNPN异质结激光器
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条形GaAs-GaAlAs双异质结激光器的发射光谱特性
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介绍条形GaAs—GaAlAs双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时, 波长向短波方向漂移。热阻较大的器件, 实验的结果与以上结论相反。
光触发GaAs/GaAlAs异质结负阻激光器
浏览:113
采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。
无点阵失配补偿的GaAs/GaAlAs双异质结构激光器连续运转10000小时
浏览:163
改进了晶体生长条件后,由通常的金属条纹状双异质结构激光器,而不用在GaAs激活区内添加Al或在GaAlAs邻接层中添加P,就能获得10000小时的连续运转。该激光器仍在运转。
200兆比特/秒注入式GaAs-GaAlAs双异质结激光器的调制实验
浏览:130
本文介绍了采用江入式GaAs-GaAlAs DH激光器进行的200兆比特/秒的调制实验.调制时的偏置电流低于阈值.
低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器
浏览:170
收稿日期:--
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 (2002年)
浏览:135
用MBE生长设备制备了 GaAs/Si/AlAs异质结,通过 CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到 Si夹层的空间分布随 GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。
AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究
浏览:20
AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究
量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器
浏览:74
并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340 mW,和...
GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4º异质外延的比较研究
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GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4º异质外延的比较研究,冯建友,任晓敏,采用金属有机化学汽相沉积法(MOCVD)在Si衬底上外延生长GaAs层,对比了晶向为(100)面无偏角和(100)面向[011]方向偏4º的Si衬底,并�
波导耦合双台面可控单模GaAs-(GaAl)As激光器
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本文报道一种波导耦合集成型双台面GaAs-(GaAl)As激光器.它具有电、光注入锁模放大特性.控制二个台面的同步脉冲电流稍高于阈值时,可使激光器工作在单纵模、基横模,激射光谱半宽(?)λ约1~1.6(?).当环境温度变化1~2℃时,也能获得单模输出.
透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器
浏览:132
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
GaAs-GaAlAs双异质结激光器寿命的测量和分析
浏览:187
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隐埋波导耦合GaAs/(GaAl)As纵模可控集成激光器
浏览:70
本文报告一种带输出波导的沟道条形集成激光器的设计、制作和测量结果.通过沟道内的凸透镜型两维无源波导,使两个激光器的光辐射相互耦合注入进行选频放大,从而获得单纵模激光输出.
GaAs-Ga1-xAlxAS双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量 (1975年)
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测量GaAs―GaAlAs双异质结激光器阈值电流随温度的变化,表明在室温附近符合指数规律.通过这一测量,可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应测量方法.通过激光器光谱峰位的移动.也可以推算器件的热阻与串联电阻.
InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
浏览:181
利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140 mW,激射波长为980 nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8 W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28...
5000小时室温连续激射GaAs/AlGaAs双异质结激光器
浏览:112
The configuration and technology for proton bombardment stripe geometric GaAs-GaAlAs DH laser is described briefly. The performances of DH laser under DC forward current were measured and analysed. ..
GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究 (1975年)
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我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p―GaAs甩Au―Cr金、n―GaAs用Ag―Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs―Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。
基础电子中的双异质结激光器
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图表示出双异质结激光器的结构示意图和相应的能带图在正向偏压下,电子和空穴分别从宽带隙的N区和P区注进有源区。它们在该区的扩散又分别受到P-p异质结和N-p异质结的限制,从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转...
GaAs双异质结激光器和多模光学纤维的耦合
浏览:6
本文仅就GaAs双异质结激光器和多模光学纤维的耦合问题作一些讨论,以带有微透镜型的光学纤维为例,对耦合效率进行了计算.
GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器的液相外延 (1975年)
浏览:28
介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件.使GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000―2000安培/平方厘米。
(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因
浏览:174
对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。
(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器退化原因
浏览:50
收稿日期:--
AlGaAs/GaAs双异质结激光器退化的研究
浏览:60
观察了室温下工作的DH激光器退化现象,发现在短时间内退化的器件,除阈值升高外尚伴随着微分量子效率下降。对热稳定性良好,并对于较长时间(>250小时)阈值上升率(△Jth/Jth千小时)小于3%的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。
GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延 (1975年)
浏览:131
介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs―Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000―2000安培/平方厘米。
论文研究-纳米图形衬底GaAs/Si材料的热应力分布 .pdf
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纳米图形衬底GaAs/Si材料的热应力分布 ,张然,王俊,直接外延制备的GaAs/Si材料由于不同材料热膨胀系数不同会产生热应力。前人利用光致发光谱和拉曼光谱研究发现,使用图形衬底可减小Ga
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GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析,王荣,刘运宏,引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,
GaAS-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量 (1975年)
浏览:184
测量GaAs―GaA1As双异质结激光器阈值电流随温度的变化,表明在室温附近符合指数规律。通过这一测量,可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应测量方法,通过激光器光谱峰位的移动,也可以推
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【SystemVerilog】路科验证V2学习笔记(全600页).pdf
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SystemVerilog的听课学习笔记,包括讲义截取、知识点记录、注意事项等细节的标注。 目录如下: 第一章 SV环境构建常识 1 1.1 数据类型 1 四、二值逻辑 4 定宽数组 9 foreach 13 动态数组 16 队列 19 关联数组 21 枚举类型 23 字符串 25 1.2 过程块和方法 27 initial和always 30 func
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