Si盖，应变和温度对（s）Si / sSiGe /（s）SOI量子阱p-MOSFET的空穴迁移率的影响

研究论文
0 下载量 156 浏览量 2021-03-04 17:45:10 上传 评论 收藏 1.48MB PDF 举报
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