一种简易的硫化亚锡微米棒薄膜的合成* (2013年)

为了得到高纯度的硫化亚锡薄膜，利用恒电压法成功制备了硫化亚锡微米棒薄膜，并将该薄膜在200℃真空退火1 h．结构和形貌分析表明：该薄膜是由2～5μm的细棒组成，并且优先沿着(101)晶面方向生长．拉曼光谱表明该薄膜具有较高的纯度．