使用电子束光刻和干法刻蚀的双重图案化Craft.io对10 nm T形栅极进行纳米加工

报道了一种使用双重图案化Craft.io制造尺寸降至10 nm的T形栅极的Craft.io。 此过程的关键之一是将覆盖区的定义与栅头的覆盖区分开，从而使由抗蚀剂中电子正向散射产生的邻近效应显着最小化，使我们能够缩小至10- nm英尺宽度。 此外，与报告的抗蚀剂中10 nm T形轮廓技术相反，该Craft.io利用具有纳米缝隙的金属膜作为蚀刻掩模，在SiNx层中形成清晰的10 nm宽脚通过React离子蚀刻。 这样的双重图案化Craft.io已经显示出增强的可靠性。 详细描述了详细的过程，并讨论了其优点和局限性。 目前正在使用基于InP的高电子迁移率晶体管的纳米制造技术，该技术用于10至20 nm T形栅极的开发Craft.io。