陶瓷表面金属化Cu薄膜应力调控 (2010年)

利用直流磁控溅射方法在 AlN陶瓷表面沉积了单层 Cu薄膜,采用X射线衍 射方法研究了沉积温度对薄膜应力的影响,并用有限元方法模拟不同温度下沉积的Cu薄 膜中的热应力及变形分布情况 。沉积的薄膜应力表现为张应力,并随沉积温度的升高先增大 后减小,沉积温度为200℃左右时,薄膜应力达到最大值 ;在AlN表面引入过渡界面可明显 地减小薄膜应力,并根据微观结构和物理性质的变化等对薄膜应力的变化进行了解释 。