使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属 Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行 Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响 Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为 290～310℃, N 2气流量为 200～350 mL/min和 H 2气流量为 450～ 600 mL/min的条件下,获得了致密的 Cu薄膜, Cu导体方块电阻为 25m
