金属有机化学气相沉积脉冲生长技术制备GaN纳米棒的模型

提出并建立了基于气-液-固（VLS）和气-固（VS）模式在金属有机化学气相沉积脉冲生长中的组合效应的GaN纳米棒（NR）生长过程的理论模型。 特别地，通过引入用于表面沉积的孵育时间，提出了用于形成富含镓的线标记的VS-生长机制，其为我们提供了NR的生长时间。 公式化并进行了数值研究，研究并研究了镓液滴基本半径和长径比的演变以及析出的GaN体积在两段NR过渡过程中的增加，以显示与实验数据一致的结果。 在此过渡过程中，VLS和VS增长的相对贡献也得到了数值说明。 此外，对从{1–102}-到{1-101}平面的倾斜切面角的实验观察到的数值进行了建模，公式化和数值模拟。 通过将数值结果与实验数据进行拟合，可以确定一些重要的动力学参数。