低温等离子体氧化α-Si:H薄膜的蓝光发射

通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si:H薄膜的荧光特性，在450nm～500nm范围内常温下观察到强蓝光发射，发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构，位置分别为460nm、465nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关，其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。