当前时点看，Perc效率天花板在24%左右，而HIT电池的P-n结在非晶硅和晶体硅材料之间形成，导致其提效潜力高于Perc，HIT是单节 时代效率次高的技术，实验室效率26%+。 多结电池利用多种材料对于太阳光谱不同的波段吸收，可实现更高转换效率。 HIT加上钙钛矿的叠层是多节时代入门级技术，因此认为 HIT是一个承上启下的平台型技术。异质结（HIT）太阳能电池自90年代由三洋量产，但由于成本原因未成为主流。近年来，随着技术进步，HIT的转换效率、生产成本不断改善。 pHIT的结构：HIT呈对称结构，以N型单晶硅片为衬底，正面依次沉积本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜 ，背面依次沉积本征非晶硅薄膜
