以二氧化硅微球为掩板,利用各向异性等离子体刻蚀技术对光固化树脂薄膜进行选择性刻蚀,制备出微纳级的顶端带凹陷的柱状结构. 在材料表面蒸镀一层金后,得到微纳米级柱顶端带有金纳米碗的特殊结构. 通过调整刻蚀时间可以改变光固化树脂薄膜表面的柱状结构的高度. 随着柱状结构高度的增加,材料的特征峰从500 nm红移至760 nm. 运用时域有限差分(FDTD)方法对这种含贵金属结构的电场分布进行模拟,发现在金纳米碗状结构的边缘处存在高强度的电场,这是材料特征峰产生的原因. 这种由材料表面结构变化导致材料在光谱中特征峰
