分析了泡生法生长大尺寸、光学质量蓝宝石单晶工艺，探讨了影响蓝宝石晶体生长的9大因素：①温场的轴向和径向温度梯度大小对晶体生长的影响；②氧化锆层对晶体质量的影响；③原料对晶体生长的影响；④籽晶的质量和晶向对晶体生长的影响；⑤引晶对晶体中残余应力、位错和晶界的影响；⑥放肩角度对晶体的影响；⑦等径生长速度对晶体的影响；⑧收尾拉脱与否对晶体质量的影响；⑨退火时间长短对晶体的影响．通过分析各影响因素，改进生长工艺，成功生长出70 kg蓝宝石单晶．对其进行表征发现，在晶体气泡、晶体方向和应力等方面均达到发光二极管芯片
