DRAM从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。DRAM的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步DRAM及Direct Rambus DRAM(直接总线式DRAM),所以我们所说明的这种类型的DRAM将逐渐变得稀少,我们只将基本的信号举例说明一下。 图 DRAM的基本类型 1. 地址(A0~An) 这是赋予DRAM的地址,由于DRAM是利用后面将要说明的RAS及CAS信号分2次赋予地址的,所以所拥有的地址引脚数为寻址所需要的数目的一半左右。例如,1M×1位的DRAM,其地址需要⒛位,但它分2次、每次赋予10位的地址。由于容量较大的DRAM并不一定每次都给予一半的地 动态随机存取存储器(DRAM)是计算机内存中的主要类型之一,它以其高效能和大容量存储而广泛应用于各种计算设备。尽管随着技术的发展,同步DRAM(SDRAM)和Direct Rambus DRAM(DRDRAM)等新型内存已经占据主导地位,但了解DRAM的基本信号对于理解内存工作原理仍然是至关重要的。 地址信号(A0~An)是用于定位DRAM中具体存储单元的关键。地址线的数量通常是地址总位数的一半,因为DRAM通过两次操作——行地址选通(RAS)和列地址选通(CAS)来确定单元位置。例如,一个1M×1位的DRAM需要20位地址,但会分两次分别传输10位地址。对于更大容量的DRAM,地址引脚数可能不一定是地址位数的一半,有时会更多。 RAS(Row Address Strobe)信号的作用在于选中DRAM中的行。当RAS信号下降沿到来时,地址线上的行地址被锁存到DRAM内部,这一步骤决定了要访问哪一行存储单元。接下来,CAS(Column Address Strobe)信号被激活,地址线上的列地址被读取,从而确定了要访问的具体存储单元。这种行-列地址的访问方式是DRAM的基础操作模式。 写使能(WE)信号用于区分读取和写入操作。当WE信号有效时,数据将被写入DRAM;反之,WE无效则表示执行读操作。输出使能(OE)信号控制数据是否从DRAM输出到数据总线。即使在读模式下,如果OE无效,数据引脚(DQ0~DQn)也会保持高阻抗状态,不会传输数据。 数据引脚(DQ0~DQn)是DRAM与外部系统之间数据交换的通道,它们可以双向工作,既可以接收数据也可以发送数据。这些引脚的数量取决于DRAM的位宽,决定了数据传输的宽度。 总结来说,DRAM的基本信号包括地址信号、RAS、CAS、WE、OE和数据引脚。这些信号协同工作,使得处理器能够高效地读取和写入内存,支持系统的正常运行。虽然现代内存技术已发展出更先进的接口和信号系统,但理解这些基本概念有助于深入认识内存的工作原理。
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