利用密度泛函B3P86方法在cc-pVTZ基组水平上研究了不同外电场对M8F2分子基态键长、键角、偶极矩、电荷分布、能级分布的影响.结果表明随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究M8F2材料的电致发光机制提供了一定的理论基础.
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