GaAs在外电场作用下的分子特性研究 (2010年)

用密度泛函83LYP方法在6-311++g(3df，3pd)基组水平下对GaAs在不同强度外电场(-0．003～0．003 a．u．)下分子基态的稳定电子结构进行计算，研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响．结果表明，随着Ga→As方向外电场的增加，分子键长、偶极矩增大，原子电荷也递增，能隙、谐振频率及其红外强度递减，总能量降低；在外电场作用下，GaAs基态分子势能曲线也发生变化，离解能随之变化．