模拟技术中的美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器

采用模拟 VIP50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率　　　　 　　 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM) 采用该公司专有的全新 VIP50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器，预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外，所采用的封装也极为小巧，因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体在另一份相关的新闻发布中详细介绍这种 VIP50 工 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）推出了六款采用先进的BiCMOS工艺技术——VIP50工艺制造的高精度、低电压运算放大器。这一创新技术显著提升了便携式电子产品和工业系统的精度与电源效率，满足了对高效能、低功耗解决方案日益增长的需求。 VIP50工艺是美国国家半导体公司的专有技术，它成功地开发出6款运算放大器，不仅在准确度、功耗和电压噪声方面表现出色，而且封装尺寸紧凑，特别适合于空间有限的便携式设备。这6款新产品包括LMV651、LMV791、LPV511、LPV7215，以及LMP7701和LMP7711，它们各自拥有独特的性能特点，旨在服务于工业应用、医疗设备和汽车电子等领域。 例如，LMV651拥有12MHz的单位增益带宽，相比同类SOT和SC70封装产品，其功耗减少了90%，展现了卓越的节能特性。其他型号如LMV791则以其低至1μA以下的电流和高达12V的操作电压为亮点。LMP7701和LMP7711作为新一代运算放大器系列的首款产品，它们在输入偏置电压、输入偏置电流和操作电压方面表现优异，确保了高精度的信号处理能力。 LMP7711运算放大器特别适合传感器接口应用，其低至50fA的输入电流和7nV/sqrt Hz的噪声水平，显著降低了失真和信号调节误差。配合高精度薄膜电阻和精确匹配的晶体管，LMP7711的输入电压偏移误差控制在200μV以内，共模抑制比(CMRR)达到95dB，电源抑制比(PSRR)高达100dB，即使在恶劣的温度条件下，偏移电压漂移(TCVos)仍能保持在1μV/°C的低水平。 LMP7701则提供了一个2.7V至12V的供电电压范围，并且具有满摆幅CMOS输入，其输入偏压电流仅为200fA。通过微调和设计技术，LMP7701优化了输入偏移电压，使其在整个共模电压范围内不超过300μV。此外，该芯片采用了专利校正技术，降低了偏移电压的温度系数。 LMV791是一款低噪音的CMOS输入运算放大器，其频带噪声平坦，仅为5.8nV/sqrt Hz，这使得它在噪声性能上具有显著优势。这些新型运算放大器的推出，进一步巩固了美国国家半导体在低电压、低功率放大器市场的领先地位，同时也丰富了其高精度放大器产品线，满足了客户对更高效、更精准模拟技术的需求。