BiCMOS

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BiCMOS

: 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;...
评级：0 浏览量：237 收藏量：0 资源大小：82KB 上传时间：2020-07-27

: 全差分BiCMOS采样保持电路仿真设计为了解决传统S／H电路失真大和静态工作点不稳定的问题，采用0.25μmBiCMOS工艺，设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOSS／H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路(CMFB)设计具有创新性。
评级：0 浏览量：194 收藏量：1 资源大小：266KB 上传时间：2020-10-24

: BiCMOS 模拟工艺技术美国国家半导体公司的专有 BiCMOS 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及...
评级：0 浏览量：391 收藏量：1 资源大小：66KB 上传时间：2020-12-09

: 模拟技术中的Maxim推出高增益低噪声系数的SiGe BiCMOS LNA 该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGe BiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩点和三阶交调点降低至-12dBm和-2dBm。因此，MAX2659 SiGe BiCMOS LNA具有业界最高增益...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：40KB 上传时间：2020-11-30

: BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下，输出基准参考电压为1.2 V，温度系数为10.0 ppm/℃,低频时...
评级：0 浏览量：220 收藏量：0 资源大小：540KB 上传时间：2020-10-16

: 高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术 INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGE BICMOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGE BICMOS PLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种PLL...
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2021-01-19

: 新型BiCMOS集成运算放大器设计为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括...
评级：0 浏览量：205 收藏量：0 资源大小：230KB 上传时间：2020-10-23

: Maxim推出高性能BiCMOS工艺制造的硅调谐器器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够利用单一硅片支持范围的主要电视标准。　MAX3543具有业内的灵敏度指标、4dB噪声系数和优异的阻塞...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2021-01-20

: 电源技术中的飞利浦发布面向RF产品的BiCMOS工艺飞利浦电子公司日前发布了QUBiC4X技术，这是高性能BiCMOS工艺技术（双极CMOS）中QUBiC4系列产品的最新成员。这一基于硅锗碳（SiGe:C）技术的新工艺令双极晶体管的fT指标超过了130GHz，非常适合于10GHz到30GHz范围...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：62KB 上传时间：2020-11-29

: RFID技术中的高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术 INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGE BICMOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGE BICMOS PLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种PLL...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：27KB 上传时间：2020-12-09

: 基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路 (2006年) 设计了一种基于0.8μm，双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路。电路采用四管单元带隙基准作温度补偿，多级误差放大反馈结构稳定输出电压，其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分，从而在不增加电路...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：2.09MB 上传时间：2021-05-11

: 一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路西安电子科技大学 CAD所潘华兵来新泉贾立刚引言在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：84KB 上传时间：2020-12-09

: 一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路摘要：本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，工作电压最低可达1.5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计...
评级：0 浏览量：162 收藏量：0 资源大小：79KB 上传时间：2020-12-09

: A Comparison of Si CMOS, SiGe BiCMOS, and InP HBT Technologies 一个详细比较Si CMOS, SiGe BiCMOS, 和 InP工艺的文档。
评级：0 浏览量：101 收藏量：1 资源大小：461KB 上传时间：2018-09-24

: 一种BiCMOS带隙基准电压源的设计 (2006年) 设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路。综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点。电流镜用作运放，它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路。使用...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：2.13MB 上传时间：2021-05-06

: 一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计、电子技术,开发板制作交流
评级：0 浏览量：62 收藏量：1 资源大小：159KB 上传时间：2021-02-03

: 应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器基于IBM 0.36 μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器，工作频段为5～6 GHz，且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示，在工作电压为5 V的情况下，当...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：659KB 上传时间：2020-10-16

: 基于SiGe BiCMOS工艺的5 GHz低噪声放大器的设计 (2013年) 基于0．18μm SiGe BiCMOS工艺，设计了一款应用于WLAN 802．1 1频段的低噪声放大器(LNA)．采用了共射级的两级级联结构，发射极运用电感负反馈，有效地提高了增益和线性度．仿真结果表明，在5～6 GHz工作频段内，小...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：284KB 上传时间：2021-05-08

: 元器件应用中的在修改BiCMOS工艺条件下实现光电集成在1.3～1.55 gm波长光纤通信窗口，广泛使用的是III-V族InGaAs、InGaAsP探测器。这些III-V族探测器性能优异，工作速率可达20Gb/s乃至达到40Gb/s，有很好的响应度和量子效率。然而，由于工艺结构复杂使得这样的探测器...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：192KB 上传时间：2020-11-13

: 基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1.34MB 上传时间：2021-03-07

: 一种新型BiCMOS灵敏放大器设计本文设计了一种应用于反熔丝型OTP存储器的新型BiCMOS灵敏放大器电路。本设计的电路运用了BiCMOS技术，以运放结构为基础，结合预充电和放电控制机制，能够将编程后呈高阻抗状态的反熔丝成功读出为导通状态。最后，在...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：931KB 上传时间：2021-04-16

: Analog BiCMOS Design--James C. Daly Analog BiCMOS Design--James C. Daly Analog BiCMOS Design--James C. Daly 英文文字版
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：2.17MB 上传时间：2018-12-01

: 模拟技术中的美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器采用模拟 VIP50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率　美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM) 采用该公司...
评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：86KB 上传时间：2020-11-27

: 基于BiCMOS技术的AC_DC开关电源管理IC的设计.pdf 基于BiCMOS技术的AC/DC开关电源管理IC的设计 BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semieonduetor)是一种结合 CMOS与双极型器件结构在单一集成电路内的新技术，它兼容了CMOS电路和双极型电路的优点。因此，...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：2.61MB 上传时间：2019-12-15

: 一种高性能BiCMOS差分参考电压源采用电流求和结构，提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源，引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比，电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂。基于ASMC 0.35μm 3.3V BiCMOS工艺...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-02-06

: 飞利浦首推业内最小的DQFN封装BiCMOS逻辑器件飞利浦电子公司(Royal Philips Electronics)日前推出采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，号称业界最小的BiCMOS逻辑器件。这种器件适合于空间受限而对性能有所要求的应用，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：44KB 上传时间：2020-11-28

: 基于标准SiGe BiCMOS技术的近红外光电探测器的实现基于IBM 7WL标准SiGe BiCMOS技术设计了两个近红外光电探测器：PIN光电探测器和异质结光电晶体管（HPT）。利用商用设备模拟器ATLAS分析了主要Craft.io参数对其性能的影响。出带与MPW，每个光检测器的芯片尺寸为50μ...
评级：0 浏览量：220 收藏量：1 资源大小：340KB 上传时间：2021-03-13

: 元器件应用中的BiCMOS工艺单片集成光电接收器因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的影响。在BiCMOS工艺中利用N＋隐埋层集电极作为探测器阴极，P＋源/漏注入形成阳极，低掺杂外延层形成探测器 I层，这样就形成了纵向PIN结构。由于P型隔离层将PIN的N＋...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：81KB 上传时间：2020-11-14

: PCB技术中的一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级 2．信息产业部电子二十四所　重庆　400060) 摘　要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的AB类输出级。通过对这种结构...
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：92KB 上传时间：2020-12-09

: 基于BiCMOS工艺的BipolarVCO和CMOSVCO性能对比最新上传文件，有关BiCMOS的资料，都是从收费网站上下的。
评级：0 浏览量：142 收藏量：1 资源大小：2.28MB 上传时间：2010-01-08

: 差分BiCMOS采样电路仿真设计为了解决传统S／H电路失真大和静态工作点不稳定的问题，采用0.25 μm BiCMOS工艺，设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S／H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路(CMFB)设计具有创新性...
评级：0 浏览量：148 收藏量：0 资源大小：166KB 上传时间：2020-10-23

: 电子测量中的Maxim推出高性能BiCMOS工艺制造的硅调谐器器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内最佳的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够利用单一硅片支持全球范围的主要电视标准。　MAX3543具有业内最佳的灵敏度指标、4dB噪声系数...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2020-11-07

: BiCMOS集成运算放大器.doc BiCMOS集成运算放大器.doc
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：2.43MB 上传时间：2021-09-24

: 模拟技术中的Maxim推出业界最高增益、最低噪声系数的SiGe BiCMOS LNA 该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGe BiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩点和三阶交调点降低至-12dBm和-2dBm。因此，MAX2659 SiGe BiCMOS LNA具有业界最高增益...
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：40KB 上传时间：2020-11-30

: 一种高性能BiCMOS差分参考电压源 (2012年) 采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC 0畅35μm3畅3V BiCMOS工艺的...
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：1.03MB 上传时间：2021-06-17

: 宽带SiGe BiCMOS互阻放大器，用于20Gb / s光学链路 TIA采用0.18μmSiGe实施BiCMOS技术并通过片上300 fF电容器进行了测试模拟光电二极管。测得的跨阻增益为61 dBΩ，−3 dB带宽为15 GHz。芯片消耗32 3.3 V单电源供电的mW功率，占用的面积为仅0.3平方毫米。
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：1.5MB 上传时间：2021-04-05

: 全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计 0 引言　随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元——采样／保持(S／H)电路的精度和速度直接决定ADC的性能，所以...
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：274KB 上传时间：2021-01-20

: 模拟技术中的东芝推出支持WLAN、PHS及蓝牙的SiGe BiCMOS功放IC 东芝美国电子元器件公司(Toshiba America Electronic Components, TAEC)日前发布一款中等功率SiGe BiCMOS功率放大器TA4401CT，该产品适合于1.9GHz至2.5GHz频带的无线应用，包括无线LAN(WLAN)、PHS以及蓝牙等。...
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：35KB 上传时间：2020-11-28

: 12位100MHz Bicmos流水线模数转换器的设计 (2008年) 设计了2级Bicmos运算放大器，并提出了一种全新的应用于1.5b/级结构的差分比较器。所设计的运算放大器可同时实现高增益、大带宽，电路速度快，不需要额外的补偿电容，可应用于高频环境，并具有较大的输出摆幅。所设计...
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：1.85MB 上传时间：2021-04-22

: TI-UCC3895 BiCMOS先进移相PWM控制器-综合文档 TI-UCC3895 BiCMOS Advanced Phase Shift PWM Controller
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: 电源技术中的超高速精确度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术 1.技术概览：第三代完全电介质绝缘的互补 SiGe BiCMOS 工艺 (BiCom3) 针对超高速高精度模拟集成电路而设计。上述器件的工作电压为 5V，可在广泛的温度范围内工作，其 fT 的范围为 15-20 GHz，fmax 的值则达 40-50 ...
评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：77KB 上传时间：2020-12-10

: 通信与网络中的Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块　这批器件面向多种无线通信标准，采用Jazz Semiconductor公司0.35微米SiGe BiCMOS工艺制造。该公司称，Tahoe团队已针对直接及非直接下变换设计了许多WCDMA电路，包括完整的WCDMA芯片组、CMOS及ECL标准单元库和8GHz ...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2020-12-09

: 基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括...
评级：0 浏览量：122 收藏量：1 资源大小：216KB 上传时间：2020-10-23

: 一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源 (2009年) 采用上海贝岭的1.2 μm BiCMOS工艺进行设计和仿真，spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性，带隙基准的输出电压为1.254 V，在2.7 V-5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV，基准的最大静态...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：2.61MB 上传时间：2021-05-27

: 一种基于BiCMOS锁相环的数字信号源设计 (2010年) 提出一种基于锁相环(PLL,Phase-LockedLoop)的数字信号源设计方法,采用BiCMOS工艺鉴相器集成芯片和纹波滤除能力强的三次环路滤波器,设计出了一种分辨率最低为1Hz、量程逐级可调的数字信号源。给出了鉴相器(PD,...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：1.51MB 上传时间：2021-06-18

: 8~14 GHz SiGe BiCMOS宽带功率放大器.docx 8~14 GHz SiGe BiCMOS宽带功率放大器.docx
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: 基于0．5μm CMOS工艺的新型BiCMOS集成运算放大器设计为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括...
评级：0 浏览量：88 收藏量：1 资源大小：215KB 上传时间：2020-10-23

: A Fully Integrated 320 GHz Coherent Imaging Transceiver in 130 nm SiGe BiCMOS 130 nm SiGe BiCMOS technology ( fT / fmax = 220/280 GHz). To enhance the imaging sensitivity, a heterodyne coherent detection scheme is utilized. To obtain frequency coherency, fully integrated phase-...
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：5.3MB 上传时间：2019-04-01

: 一种基于电流差值的低工艺漂移的BiCMOS过温保护电路.docx 一种基于电流差值的低工艺漂移的BiCMOS过温保护电路.docx
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