元器件应用中的如何判断单结晶体管质量的好坏

(1)测量PN结正向电阻 　　将万用表置R×100或R×1k档，测量发射极。与任一基极间的正向电阻，正常时为几千欧至十几千欧，比普通二极管电阻略大，反向电阻应趋于无穷大。一般以正、反向阻值比大于100倍为好。 　　(2)测量基极电阻RBB 　　万用表仍置于R×100或R×1k档测量基极b1、b2间的阻值应在2～10kΩ范围内．若阻值过大或过小，均不宜使用． 　　(3)测负阻特性 　　测负阻特性时，应在基极b1～b2间外接10V直流电源，如图一所示．正常时，万用表表针应在无穷大处，表明管子处于截止状态，还远末达到负阻区，发射极电流很小。若万用表表针向右方偏转，则表明管子无负阻特性，不能 在电子元器件的应用中，确保每个元件的质量至关重要，特别是对于单结晶体管（也称作双基极二极管或晶体触发器）这样的特殊半导体器件。单结晶体管广泛用于脉冲产生、振荡器、定时器等电路，其工作性能直接影响到整个电路的稳定性和可靠性。下面我们将详细探讨如何通过测量技术来判断单结晶体管的质量好坏。 我们需要了解单结晶体管的基本结构。它由两个PN结组成，分为发射极E和两个基极B1、B2。这种特殊的构造使得单结晶体管具有独特的电压控制特性，能够工作在正向导通和负阻两个状态。 1. 测量PN结正向电阻： 这是判断单结晶体管质量的第一步。使用万用表的电阻档（R×100或R×1k档），测量发射极E与任一基极B之间的正向电阻。正常的正向电阻应该在几千欧至十几千欧之间，比普通二极管的正向电阻稍大。同时，反向电阻应接近无穷大，这意味着在反向偏置时几乎没有电流通过。一个良好的单结晶体管应表现出明显的正向电阻和高反向电阻，两者之间的比例通常大于100倍。 2. 测量基极电阻RBB： 在这个步骤中，继续使用万用表的相同电阻档，测量基极B1与B2之间的电阻。正常情况下，这个电阻值应该在2千欧至10千欧的范围内。如果阻值过大，可能意味着PN结的接触不良或内部开路；若阻值过小，可能是内部短路，这两种情况都会影响单结晶体管的正常工作，因此不宜使用。 3. 测量负阻特性： 负阻特性是单结晶体管的核心特征，它允许管子在特定条件下呈现电阻减小的特性。为了测试这一点，需要在基极B1和B2之间接入10V的直流电源，并利用万用表监控电阻变化。在没有达到负阻状态时，万用表的表针应指向无穷大位置，表示管子处于截止状态，发射极电流极小。如果表针向右偏转，这表明管子不具备负阻特性，即无法在预定电压下进入负阻区域，这样的单结晶体管也是不合格的。 通过以上三个步骤的测量，我们可以较为准确地评估单结晶体管的质量。在实际操作中，除了这些基本测量，还可能需要根据具体应用进行更深入的测试，如频率响应、温度稳定性等。但这些基本的电阻测量方法已经能为我们提供初步的判断依据，帮助我们识别出那些可能存在问题的单结晶体管，从而确保电路设计的成功和稳定。