产品型号:MJD200RLG类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大电流IC(Max)(A):5直流电流增益hFE最小值(dB):45直流电流增益hFE最大值(dB):180最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65总功耗PD(W):12.500封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):￥2.40
MJD200RLG是一款NPN型晶体管，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关电路等。以下是对这款器件技术参数的详细解释：
1. **类型：NPN集电极-发射集** - 这表示MJD200RLG是一款双极型晶体管，其结构为N型半导体-空穴区域（集电极）-P型半导体-电子区域（发射集）。在工作时，电流主要由电子流经发射极到集电极，而空穴则在基极与发射极之间流动。
2. **最小雪崩电压VCEO(V)** - VCEO是集电极-发射极反向击穿电压，数值为25V。这代表了当集电极和发射极处于反向偏置状态下，晶体管能承受的最大反向电压而不发生雪崩击穿。这个参数对于保护晶体管免受过压损坏至关重要。
3. **集电极最大电流IC(Max)(A)** - 这是集电极允许的最大连续直流电流，为5A。超过这个值，晶体管可能会过热或损坏。
4. **直流电流增益hFE** - hFE是衡量晶体管放大能力的参数，表示基极电流与集电极电流之间的关系。MJD200RLG的hFE最小值为45dB，最大值为180dB。这意味着在不同工作条件下，电流放大倍数会在这个范围内变化。
5. **最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)** - Ft是晶体管的频率特性，表示在特定电流增益下，晶体管可以工作的最高频率。对于MJD200RLG，这个值为65MHz，意味着它适合于中低频应用，但在高频环境中可能性能下降。
6. **总功耗PD(W)** - 总功耗是晶体管工作时消耗的最大功率，MJD200RLG的总功耗为12.5W。在设计电路时，必须确保系统能够有效散热，以防止晶体管过热。
7. **封装/温度范围(℃)** - 3DPAK是该晶体管的封装类型，是一种紧凑的表面贴装封装，适合高功率应用。工作温度范围为-65°C到150°C，确保了晶体管在各种环境条件下都能稳定工作。
8. **价格/1片(套)** - 单片MJD200RLG的价格为￥2.40，这为购买和使用提供了成本参考。
MJD200RLG的这些技术参数对于电路设计师来说至关重要，因为它们决定了晶体管在实际应用中的性能、稳定性和成本效益。了解并正确使用这些参数可以帮助设计出高效、可靠的电子系统。在选择晶体管时，应根据具体应用需求，如电流处理能力、频率响应、功率预算以及工作环境等因素，综合考虑这些技术参数。
