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MJD200T4G的技术参数
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2020-12-10
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产品型号:MJD200T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大电流IC(Max)(A):5直流电流增益hFE最小值(dB):45直流电流增益hFE最大值(dB):180最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65总功耗PD(W):12.500封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):¥2.35
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MJD200T4G的技术参数的技术参数
产品型号:MJD200T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大电流IC(Max)(A):5直流电
流增益hFE最小值(dB):45直流电流增益hFE最大值(dB):180最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65总功耗
PD(W):12.500封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):¥2.35
产品型号:MJD200T4G
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25
集电极最大电流IC(Max)(A):5
直流电流增益hFE最小值(dB):45
直流电流增益hFE最大值(dB):180
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65
总功耗PD(W):12.500
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
价格/1片(套):¥2.35
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