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MJD112G的技术参数
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2020-12-10
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产品型号:MJD112G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):12000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25总功耗PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无
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MJD112G的技术参数的技术参数
产品型号:MJD112G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电
流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):12000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25总功耗
PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无
产品型号:MJD112G
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):2
直流电流增益hFE最小值(dB):500
直流电流增益hFE最大值(dB):12000
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):25
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
价格/1片(套):暂无
weixin_38528180
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