碳化硅CMOS倒相器温度特性 (2005年)

建立了6H-SiC材料和器件模型，应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H-SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究。研究结果表明，该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作，且具有良好的电压转移特性和瞬态特性；在300～600 K的温度范围内，倒相器阈值电压由1.218 V变化到1.274 V，变化幅度较小。