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存储技术-电子过程世界
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2021-01-13
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的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtrON International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active current)需求降低了25%至50%,串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件
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的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtrON International Corporation (简称
Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V 到 5.5V
的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active current)需求降低了25%至50%,串口
器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串
口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件
的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtrON International Corporation (简称Ramtron)发布W
系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外,W系
列具有更高的性能,如有功电流(active current)需求降低了25%至50%,串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20
倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit
FM18W08器件则带有一个并行通信接口。
Ramtron公司标准存储器市场推广经理 Mike Peters 表示:“W系列 F-RAM存储器具有宽工作电压范围,可帮助系统设计人
员降低有功电流,提高系统性能。系统能够检测早期功耗,控制器的数据写入电压可降至2.7V,从而保护重要数据免受毁坏
或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更高的灵活性,能够限度地减少客户所需的库存元件数量。”
Ramtron发布发布W系列系列F-RAM存储器存储器
RamtrON (Ramtron InternaTIonal Corporation)发布W系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行
接口,能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。
W系列 F-RAM存储器为先前使用64K至256K F-RAM器件的客户提供了一种设计替代方案,该系列产品基于先进的高可
靠性铁电工艺,具有无延迟 (NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数 (100万亿次-10e14)以及38年数据保存期等特性。这
些新推器件采用业界标准“绿色”封装,其中串口器件采用8脚SOIC封装,并口器件采用28引脚SOIC封装。W系列非常适合需
要频繁或快速写入数据或实现低功耗工作的非易失性存储器应用,应用范围从高频数据采集直到要求严苛的工业控制应用。而
在这些应用中, EEPROM的写入周期很长,可能造成数据丢失,因而并不适用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-
RAM技术,能够实现全速总线写入,确保在-40°C 至 +85°C的工业温度范围正常工作。
此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active current)需求降低了25%至50%,串口器件的首次存取启动(上电初
始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08
和 256-Kbit FM18W08器件则带有一个并行通信接口。
Ramtron公司标准存储器市场推广经理 Mike Peters 表示:“W系列 F-RAM存储器具有宽工作电压范围,可帮助系统设计
人员降低有功电流,提高系统性能。系统能够检测早期功耗,控制器的数据写入电压可降至2.7V,从而保护重要数据免受毁
坏或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更高的灵活性,能够限度地减少客户所需的库存元件数量。”
W系列 F-RAM存储器为先前使用64K至256K F-RAM器件的客户提供了一种设计替代方案,该系列产品基于先进的高可
靠性铁电工艺,具有无延迟 (NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数 (100万亿次-10e14)以及38年数据保存期等特性。这
些新推器件采用业界标准“绿色”封装,其中串口器件采用8脚SOIC封装,并口器件采用28引脚SOIC封装。W系列非常适合需
要频繁或快速写入数据或实现低功耗工作的非易失性存储器应用,应用范围从高频数据采集直到要求严苛的工业控制应用。而
在这些应用中, EEPROM的写入周期很长,可能造成数据丢失,因而并不适用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-
RAM技术,能够实现全速总线写入,确保在-40°C 至 +85°C的工业温度范围正常工作。
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