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Impact of carrier transport on the performance of QD lasers on s...
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2021-01-26
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The operation of quantum dot lasers epitaxially grown on silicon is investigated through a quantum-corrected Poisson-drift-diffusion model. This in-house developed simulation framework completes the traditional rate equation approach, which models the intersubband transitions involved into simultaneous ground-state and excited-state lasing, with a physics-based description of carrier transport and electrostatic effects. The code is applied to look into some of the most relevant mechanisms affect
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weixin_38638292
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