Ac掺杂β-FeSi

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法，对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构，电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明：Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化，晶胞体积增大。电子结构的计算表明：Ac掺入后导致费米面进入导带，能带结构仍为准直接带隙，但是带隙明显变窄；费米能级附近，总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定，Ac的6d层电子态密度贡献很小。光学性质的计算表明：静态介电常数ε1(0)明显提高，介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱，折射率n0明显提高，消光系数k向低能方向有一微小的偏移，吸收峰增强，平均反射效应变化不大，计算结果为β-FeSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据。