用离子束增强沉积(IBED)方法,在SiO2/Si衬底上沉积了非晶硅薄膜和注氢的非晶硅薄膜。研究薄膜的电阻温度系数(TCR)随制备工艺的变化,分析非晶硅薄膜电阻的稳定性对电阻温度系数的影响。本征非晶硅电阻太大,虽然经过适当地退火后,TCR能够达到6.39% K -1,但是电阻值还是过高,不适合制作器件。经过硼掺杂的非晶硅薄膜,电阻显著下降,相应的TCR可以达到6.80% K -1。制作的氢化非晶硅薄膜的电阻温度系数(TCR)高达8.72%K -1,且制作工艺简单,与常规集成电路工艺兼容性好。用离子束增强沉
