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氢杂质对量子阱中三次谐波产生的影响
氢杂质对量子阱中三次谐波产生的影响
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氢杂质对量子阱中三次谐波产生的影响
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电场和阶梯势垒效应对半导体阶梯量子阱中氢杂质态的影响
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在有效质量近似的基础上，从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明，电子和杂质状态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱导了供体结合能的不对称分布。 当以与阶梯势垒层的生长方向相反的方向施加电场时，电场对具有任意阶梯势垒高度的阶梯式量子阱中任意位置处的杂质的施主结合能具有显着影响。 然而，当沿着阶梯状势垒层的生长方向施
电场和阶梯势垒对半导体阶梯量子阱中氢杂质态的影响
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在有效质量近似的基础上，从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明，电子和杂质态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱导了供体结合能的不对称分布。 当以与阶梯势垒层的生长方向相反的方向施加电场时，电场对具有任意阶梯势垒高度的阶梯式量子阱中任意位置处的杂质的施主结合能具有显着影响。 然而，当沿着阶梯状势垒层的生长方向施加
产生缀饰原子三次谐波的探讨
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缀饰原子对独立能级的耦合改变了原子的本征态,从而使某些禁戒跃迁成为可能,本文对缀饰氪原子三次谐波产生的可能性作了探讨,并将其转换效率理论计算值与裸原子作了比较。
量子阱中不同支声子模对杂质态能量的影响* (1997年)
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在量子阱材料中，同时考虑体声子和界面声子模对受主杂质态能级的影响，给出了受主杂质态基态结合能和不同支声子模对能量的贡献随阱宽变化的数值结果。结果表明，阱宽较大时，体声子模的作用比界面声子模的作用大，阱宽较小时，界面声子模的作用比体声子模的作用大，而整个电子-声子相互作用随阱宽的增大而减小。
非对称半指数量子阱中三次谐波产生系数的研究
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非对称半指数量子阱中三次谐波产生系数的研究
激光场和电场对掺锌GaN / AlGaN量子阱中杂质态的影响
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基于有效质量近似，在ZB GaN / AlGaN量子阱（QW）中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂质态的竞争效应。 数值结果表明，对于任何激光场，电场都会使供体结合能相对于QW中心呈不对称分布。 此外，当激光场较弱时，...
静水压力对GaN / AlGaN非对称耦合量子阱中施主杂质态的影响
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静水压力对不对称耦合量子阱宽阱内部杂质的施主结合能有明显影响。 对于任何静水压力，我们的结果表明供体结合能相对于不对称耦合QW的中心不对称分布。 特别地，对于位于宽阱内部的杂质，如果中间势垒宽度大，则供...
掺锌GaN / AlGaN量子阱中的施主杂质态：量子限制和激光修整效应
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在有效质量近似的框架内，已对变化的激光场对共混锌（ZB）GaN / AlGaN量子阱（QW）中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明，在ZB GaN / AlGaN QW中，施主结合能高度依赖于QW结构参数和Al组成。 激光场效应...
强激光和稠密等离子体相互作用产生的三次谐波
浏览：46
研究了超强激光和均匀及线性梯度高密度等离子体相互作用产生的三次谐波，特别研究了等离子体密度为四倍临界密度时的情形，这可能是用相对论效应产生高次谐波的最佳密度。
双波长双脉冲激光三次谐波的产生方法
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提出双波长双脉冲激光产生三次谐波的方法。波长不同的两脉冲激光束由反射使它们合拢后通过两块非线性的BBO晶体,激光脉冲第一次通过BBO晶体产生两波长的二次谐波(SHG),它们由各自的反射镜反射再次通过BBO又产生了二次谐波,这两次产生的二次谐波和基波通过用于产生三次谐波的BBO晶体可产生双波长的三次谐波,它们由45°斜置的耦合镜输出。文中分析了满足二次谐波和三次谐波的四个相位匹配的条件,该方法也可用
在远红外波段产生二次和三次谐波
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静水压力对非对称多量子阱中施主杂质态的影响
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基于有效质量近似，对锌共混物（ZB）InGaN / GaN非对称多量子阱（AMQW）中静水压力对施主结合能的影响进行了研究。 数值结果表明，静水压力增加了任何杂质位置的施主结合能。 此外，如果杂质位于AMQW的宽阱内部，则静水压效应会更加明显。 对于任何静水压力，施主结合能相对于AMQW的中心不对称分布。 特别地，如果阱间势垒宽度大，则位于AMQW的宽阱中心的杂质的供体结合能对阱间势垒宽度的增加不
杂质对柱形量子点系统束缚能的影响 (2009年)
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在有效质量近似和变分原理的基础上。考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应，研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系．讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律，并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响．
Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂
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杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口, 提高大功率半导体激光器的输出...还研究了扩散温度(550 ℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响, 并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。
纤锌矿GaN / AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响
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基于有效质量近似，通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿（WZ）GaN / AlGaN量子阱（QW）中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明，随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加，阱层内部的内置电场强度增加，...
InGaN / GaN非对称多量子阱中的施主杂质
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激活性杂质对光子晶体量子阱滤波器特性的调制
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结果表明：无论在外垒层、内垒层还是阱层介质中掺入激活性杂质，光量子阱滤波器各通道均出现光增益放大和带宽变窄现象，而且存在不同光增益极大值和恒定带宽极小值现象。增益倍数和带宽对内垒层掺杂的响应相对外垒层...
浅施主杂质在对称GaAs/AIxGal一xAs双量子阱中的束缚能 (2007年)
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为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响，在有效质量近似下，采用变分方法计算了对称GaAs/AI。Gal一XAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能，本文结果与已有结果吻合较好。体系束缚能随垒宽的...
杂质对多电子方形量子点系统基态能的影响 (2007年)
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根据密度泛函理论,用自洽迭代的方法求解二雏方形量子点中有杂质时电子(N=1-12)的薛定谔方程,对绝对零度情况下处于基态电子的总能量进行了数值计算,并讨论了杂质对量子点中电子基态能量的影响,得出了方形量子点中多电子系统基态的一些性质.
钠金属蒸气中三次谐波的产生
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利用锁模红外微微秒脉冲系列,在热管炉中的钠氙相位匹配混合气体中,观察到微微秒三次谐波的产生.其波长为3518A,三次谐波的功率达2.5MW,基波到三次谐波的转换效率为5×10~(-4).
三次谐波的产生、危害及解决方法
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三阶非线性效应对三次谐波振荡转换的影响
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使用快速傅里叶变换和四阶龙格库塔法，对KDP晶体内以Ⅰ/Ⅱ类角度失谐设置方式的高强度激光三次谐波振荡转换进行了研究，考虑了谐波转换过程中的三阶非线性χ(3)、衍射、离散等效应，并着重研究了KDP晶体的三阶非线性效应对高强度激光三次谐波转换的影响。研究表明，三阶非线性效应降低了三次谐波振荡转换效率，增大了相位扰动对3ω光束的强度调制，然而通过增加二倍频的失谐角Δθs，可以避免三阶非线性效应对三次谐波
在磁场作用下量子阱中类氢杂质束缚能的计算 (2010年)
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Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了 电子与纵光学声子 LO和面光学声子 SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随磁场根方增加,随阱宽增加而减小,电 子自能不受磁场影响。
掺锌GaN / AlGaN量子阱中的施主杂质态：量子限制和激光修饰效应
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在有效质量近似的框架内，已对变化的激光场对共混锌（ZB）GaN / AlGaN量子阱（QW）中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明，ZB GaN / AlGaN QW中的施主结合能高度依赖于QW结构参数和Al组成。 激光场效应对...
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响 (2012年)
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研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13nm增加到65nm,且...
有限厚势垒量子阱中杂质态结合能* (2012年)
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利用变分法对有限厚势垒GaAs／AlxGa1-x As量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算，给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系，且与无限厚势垒情形进行比较．结果表明，有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限...
无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状
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在各种量子阱混杂的方法中，无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD 研究和...
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