另一个对标准金属流的修正包括添加silicide。硅元素和很多金属反应,包括铂,钯,钛和镍,形成化合物。这些silicides能形成低电阻的Ohmic contacts,某种silicides还能形成稳定的 rectifying Schottky barriers。因此silicidation不仅提高了contact电阻――这个对barrier metal系统是个问题――也能在不用额外成本下形成肖特基二极管。Silicide 比最重掺杂的硅有更低的电阻,所以他们也能用来降低特定硅区域的电阻。许多MOS工艺使用silicided 多晶(也叫做clad poly)来制作高速MOS晶体管的gate。