以Si(111)为衬底，采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜．利用x射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析．结果表明，ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向，样品表面光洁、平整．在此ZnO薄膜工艺条件下，在石英玻璃衬底上成功制备了Al／ZnO／Ag肖特基二极管紫外探测器．对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试．室温下结果表明：Ag和ZnO已形成肖特基接触，根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0．60 eV和0．53 eV，理想因子为12．6，理论计算得
