利用MEMS技术研制硅脉象传感器* (2010年)

利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-M0sFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOsFETs，并将P-M0sFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构，从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明，该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下，灵敏度为1.623mV/kPa，准确度为2.029%F?S。