本文采用DVM-SCC-Xa法并利用原子集团模型,讨论了晶体中存在质子后能带结构和状态密度的变化,以及这些性质随质子浓度变化的规律,给出了质子所在位置对晶体的影响。结果表明,质子在a-Al2O3禁带中引入深杂质能级,禁带宽度有随质子浓度增加而增加的总趋势。因此可以推论,在所计算的质子浓度情丑下,质子的掺入基本上不影响晶体的导电性能,这也证明a-Al2O3具有一定的抗质子幅照能力。
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