32 nm节点极紫外光刻掩模的集成研制

报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6 inch(1 inch=2.54 cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32 nm节点6 inch标准极紫外光刻掩模的设计方案，及掩模衬底、反射层、吸收层材料的工艺特性研究，对缺陷控制及提高掩模效率的方法进行了分析。运用时域有限差分法对掩模的光学特性进行了仿真，根据仿真结果确定合适的Cr吸收层厚度。运用电子束光刻技术进行了掩模的图形生成，针对其中的电子束光刻临近效应进行了蒙特卡罗理论分析，用高密度等离子体刻蚀进行了图形转移，所制造的掩模图形特征尺寸小于100 nm，特征尺寸控制精度优于20 nm，满足技术设计要求。