光刻技术概述，中科大内部课程，内容详尽

主要内容： 本课程围绕超大规模集成电路制造中的先进光刻技术，陈 述与之相关的理论、设备、材料、测量与控制等。为了适应当前先进光 刻的需求，本课程会重点讲述在14nm及以下节点广泛使用的计算光刻、 分辨

基于纳米球光刻技术制备金属纳米孔阵列的工艺研究

基于纳米球光刻技术制备金属纳米孔阵列的工艺研究，王朝光，吴学忠，金属纳米孔结构阵列具有特殊的光学特性，在生化检测、太阳能电池及表面增强拉曼散射等方面具有潜在应用。纳米球光刻技术工艺简单

超大规模集成电路先进光刻理论与应用.pdf

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用

微电子光刻技术

超大规模集成电路工艺技术中的光刻技术，涵盖了光刻个方面的问题。

光刻机ASML内部培训资料 介绍芯片的制作流程以及光刻机的部分原理

本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ，包括介绍芯片的制作过程以及原理，光刻机的使用说明以及原理等等

光刻基本技术

在现代半导体行业中，研发中心对于光刻技术的关注是非常重要的。

光刻胶的选择 光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻

光刻胶的选择 光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下

光刻机行业研究框架10.pdf

光刻机重中之重，前道设备居首位。光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、 镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设 备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高

简单解释一下主流光刻技术

-光刻是指将集成电路图形从掩膜版上转移到硅片上的工艺过程光刻技术是集成电路的关键技术之一 　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％ 　　光刻也是决定了集成电路按照摩

光刻工艺和设备的介绍

光刻工艺和设备的介绍，适用于刚接触光刻技术的新人。

其它光刻技术简介

课程内容： 1 常规光刻技术存在的问题 1.1 常规曝光技术存在的问题 1.2 常规腐蚀技术存在的问题 2 其它曝光技术 2.1 投影曝光技术 2.2 电子束曝光技术 2.3 x射线曝光技术 2.4

光刻机传输分系统控制.doc

本文档是荷兰光刻机公司ASML的内部硅片传输分系统的控制系统设计文档，对了解光刻机内部知识以及控制系统设计有较大的帮助

光刻技术的进程

在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶，即所谓的半导体技术发展路线图(ITRS)。预计2004年进入90nm节点器件的批量生产，到2007年为65nm。然而这一切变化的关键是光刻技

光刻机使用方法，数据参数等等

光刻机的介绍，明细，各种使用方法等等

曝光光学系统性能对光刻性能影响的研究.pdf

投影式光刻机是微电子产业中极大规模集成电路的加工设备。 照明系统和投影物镜系统是投影式光刻机的重要组成部分， 其性能的好坏对光刻成像质量起决定性作用。 研究照明系统和投影物镜系统的性能对光刻性能的影响

超大规模集成电路先进光刻理论与应用

超大规模集成电路先进光刻理论与应用.pdf Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography (SPIE Press Monograph Vol.

光刻技术工艺及应用

单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法

光刻胶相关知识

光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟

下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍

EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm 全球第一款利用远紫外线(extreme ultra vio-let EUV)蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备原型机近日在美国问世。这个命名为：“工程试验支架”(ET

Intel放弃157nm光刻技术

5月23日，Intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略，将放弃采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造业及材料供应商。Intel最初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻

108页光刻机行业研究框架-20200622-方正证券.pdf

光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高，涉及精密光学、精密运动、高精度环境

缺陷及CD对光刻工艺的影响研究

本篇论文的目的是探讨并研究针对目前半导体製程过程中,包含涂佈光阻 (Coating),曝光(Exposure),与显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生 的 Defect 种

紫外光刻机说明书

紫外光刻机使用及维护指南。感谢您购买本所设备，使用前请仔细阅读本说明书！

193nm光刻技术延伸面临的选择

摘要： 就象上一代248nm光刻技术一样，193nm光刻可能会继续拓展和延伸，其使用极限将远远超出人们的预计。随着强烈相位移和浸入式光刻以及其它一些技术的应用，193nm光刻至少可以维持到45nm工艺

光刻技术概况

光刻技术是集成电路的关键技术之一 　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％ 　　光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的 　　进步，

【光刻】Extreme UV lithography(1)(1).pptx

【光刻】Extreme UV lithography(1)(1).pptx

超分辨近场结构光刻技术

介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展.新技术的基本原理是:光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中间的电介质保护层实现了近

论文研究-SU-8胶紫外光背面光刻工艺模拟研究 .pdf

SU-8胶紫外光背面光刻工艺模拟研究，吴丹，张恒，本文建立了完整的SU-8胶背面光刻工艺模拟系统，模拟了背面光刻工艺中的曝光、后烘、交联显影过程，其中曝光过程综合考虑了衍射、��

光刻工艺中的金属剥离技术

光刻工艺中的金属剥离技术.刻蚀工艺：利用化学或者物理方法，将抗蚀剂薄层未屏蔽的晶片表面或介质 层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路 各功能层是立体重叠的，因而光

基于光刻技术的肝小叶血管二维辐射状图案体外实验模拟研究

基于光刻技术的肝小叶血管二维辐射状图案体外实验模拟研究，李存波，蒋鹏翀，目的：动植物组织器官中的细胞是按照一定的空间模式分布排列的，形态上往往呈现出特定的图案，但体外如何实验模拟组织器官的图案