已经研究了金属化接触平坦（F样品，不进行湿法蚀刻粗糙化）和湿法蚀刻粗糙化（R样品）N极性（氮极性）n-GaN的电学特性。 R样品显示出更高的与Al / Ti / Au的接触电阻（Rc）（类似于2.5 x 10（-5）Omega.cm（2））和更高的肖特基势垒高度（SBH，类似于0.386 eV）与Ni / Au ，与F样本相比（类似于1.3 x 10（-6）Omega.cm（2），类似于0.154 eV）。 对此差异的原因进行了详细的研究和讨论：对于R样品，湿蚀刻Craft.io引起的表面状态和自发极化变化会降低其电特性。 R样品上的金属显示出较平滑的形态，但是，金属沉积状态对电特性的影响可以忽略不计。 还进一步考虑了两个样品的金属化接触面积。 与两个样品的金属化接触的电特性在退火时均表现出劣化。 基于混合方案制造的VLED芯片（1毫米x 1毫米）结合了F和R样本的优势，显示出最低的正向电压（2.75 V @ 350 mA）和最高的光输出力量。
