应用材料公司推出最先进的缺陷再检测SEM(扫描电子显微镜)SEMVision:trade_mark: G4系统，它将应用材料公司非常成功的SEMVision系统的技术和生产能力提升到45纳米及更小的技术节点。SEMVision G4系统的关键在于全新的SEM聚焦离子枪技术和增强的多视角SEM成像系统(MPSI)，他们具有卓越的2纳米物理精度，能提供无与伦比的成像质量，其每秒一个缺陷的检测速度也设定了新的基准。
应用材料公司工艺诊断和控制事业部SEM部门总经理Ronen Benzion表示：“45纳米存储器和逻辑芯片具有深高宽比和高密集度，因此高可靠性和高生产力的缺陷再检测及分类对SEM的表现提出了前所未有的
应用材料公司的SEMVision G4缺陷再检测系统是电子测量领域的一个重大突破，尤其是在半导体制造过程中，对于提高芯片质量和产量至关重要。该系统是基于SEMVision系列的成功基础上，专为应对45纳米及以下技术节点的挑战而设计的。在这个纳米级别的微细工艺中，芯片的结构变得极其复杂，对缺陷检测的精度和速度要求极高。
SEMVision G4的核心创新在于其SEM聚焦离子枪技术和增强的多视角SEM成像系统（MPSI）。SEM聚焦离子枪技术提供了前所未有的2纳米物理精度，这意味着系统能够极其精确地定位和分析微小的结构缺陷。这种高精度成像是确保半导体制造过程中高可靠性和高生产力的关键因素。同时，MPSI技术通过提供多角度的成像视图，增强了对芯片表面复杂形状和结构的全面理解。
系统的高速检测能力也是其一大亮点，每秒能检测一个缺陷，这极大地提升了生产效率，使得生产线上的实时监控成为可能。这样的速度对于及时发现并处理可能导致芯片失效的问题至关重要。
Ronen Benzion，应用材料公司工艺诊断和控制事业部SEM部门的总经理，强调了45纳米及更小尺寸的芯片在深高宽比和高密度方面的特性，这对缺陷检测提出了前所未有的挑战。SEMVision G4系统通过提升成像质量和生产能力，满足了这些新要求，同时引入的新技术加速了缺陷根源的分析，有助于提升半导体的成品率。
此外，系统中的EDXtreme功能，基于能量色散X射线能谱分析（EDX），在分析亚50纳米微粒的化学成分时发挥了关键作用。这使得工程师能够对芯片材料的化学组成有更深入的理解，对于识别和解决由特定材料引起的缺陷至关重要。
SEMVision G4的另一创新是其全新的SEM聚焦离子枪，可以旋转并以高达45%的夹角与硅片接触，提供全方位的三维数据，从而实现更精确的缺陷成像和分类。这在处理如浸没式光刻胶和低K电介质层等敏感层的缺陷时尤其重要。系统还具备硅片边缘和bevel斜面的分析能力，有助于解决与浸没式光刻技术相关的缺陷问题，进一步优化了整体的制造过程。
应用材料公司的SEMVision G4系统通过技术创新，在电子测量中扮演了重要角色，它提升了缺陷检测的精度、速度和深度，为半导体制造商提供了一套强大的工具，以应对纳米级别工艺的挑战，并推动整个行业的进步。
