单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能 (2007年)

采用恒电流沉积方法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征.利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究.结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).