RFID技术中的RFMD推出MEMS技术 将在RF应用中实现突破性性能及空前水平功能整合

据RFMD公司新闻报道，日前，设计与制造高性能射频系统与解决方案的全球领先者RF Micro Devices(RFMD)宣布推出专有微机电系统(MEMS)——面向 RF及其他应用的技术。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是开发面向低成本整合RF应用的MEMS技术的先驱者，公司自2004年起便已开始积极进行MEMS技术的商业化。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。 　　RFMD推出的第一批RF MEMS器件将是面向3G多模手机的RF MEMS发送接收开关及RF MEMS模式开关 RFMD（RF Micro Devices）是一家专注于高性能射频系统与解决方案设计和制造的全球领导者，近期宣布推出了其专有的微机电系统（MEMS）技术，旨在为RF和其他应用领域带来突破性的性能提升和前所未有的功能整合。RFMD在2004年开始致力于MEMS技术的商业化，目标是开发出面向低成本整合的RF应用。 RFMD推出的首批RF MEMS器件主要针对3G多模手机，包括RF MEMS发送接收开关和RF MEMS模式开关。这些器件的引入，不仅缩小了设备的占用空间，提高了效率，从而延长了手机的通话时间，还对3G网络的快速部署起到了推动作用。结合RFMD在GaAs、SOI和硅等前端解决方案的领先工艺技术，RFMD的RF MEMS开关技术为低成本、小型化和高性能的前端设定了新的标准。 RFMD的MEMS开关技术也在功率放大器（PA）的输出电路中发挥作用，以创建可调谐的PA，预计这将实现真正的自适应收发器解决方案。这种技术有望提供更高的灵活性和效率，满足未来无线通信的复杂需求。 RFMD的研发副总裁Victor Steel强调，公司的MEMS技术商业化以及建设200mm MEMS研发晶圆制造厂，彰显了公司通过创新保持产品领先地位的决心。RFMD是唯一能将混合信号CMOS、功率管理、功率放大器、RF开关和RF MEMS集成在低成本晶圆级封装的单片解决方案中的公司，这将使他们能够提供更高度整合的RF解决方案，满足客户不断增长的需求。 加州大学圣地亚哥分校的Gabriel M. Rebeiz教授也指出，RFMD的方法解决了当前RF MEMS开关在制造批次和封装技术上的问题，从而提高了产量、性能，并降低了成本。RFMD的RF MEMS开关是高功率欧姆接触式器件，采用后处理的IC技术，集成在RF CMOS SOI晶圆上，并密封在晶圆级封装电介质圆顶中。这些开关满足了RFMD严格的蜂窝RF功率模块要求，包括低插损、高隔离度、高谐波抑制，同时具备出色的可靠性和成本效益。 除了RF MEMS开关，RFMD还在积极探索其他MEMS器件的商业化，如RF MEMS滤波器、RF MEMS共鸣器（作为晶体的替代品）和MEMS传感器。公司期望其MEMS技术结合现有的射频系统核心能力，最终实现可以适应任何无线协议（无论是蜂窝还是非蜂窝）的单片前端和软件定义无线电。 为了支持持续的MEMS开发，RFMD计划建立一个200mm研发晶圆制造厂，这个设施将与RFMD的GaN研发机构一起位于北卡罗来纳州Mooresville的新工厂内。这表明RFMD对于推动射频技术进步和创新有着坚定的承诺，其MEMS技术的应用将进一步推动整个行业的技术发展。