RFMD近日宣布在美国加利福尼亚举行的IEEE Radio and Wireless conference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——RF1200和RF1450。此次IEEE射频无线会议于元月9~11日举行。
RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产工艺生产，并将进一步推进用于RFMD传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/g WLAN和蜂窝基础设施等的前端器件。
RF1200为一款单刀双掷(SPDT)大功率开关，可满足WCDM
射频（RF）技术在现代通信系统中扮演着至关重要的角色，特别是在移动设备和无线网络中。RFMD，即RF Micro Devices，是一家专注于射频解决方案的公司，最近在IEEE Radio and Wireless Conference上推出了其最新产品——RF1200和RF1450射频开关。这两款创新的开关是利用RFMD的先进GaAs（镓砷化物）工艺制造的，旨在提升RFMD传输模块中开关技术的标准。
RF1200是一款单刀双掷（SPDT）大功率开关，设计用于满足WCDMA标准的严格要求。它具有低插入损耗（如0.35dB@1GHz），高隔离度（例如25dB@2.2GHz），以及低控制电压（2.6V至5.0V），这些特性确保了信号在传输过程中的效率和质量。此外，RF1200的杂散特性也表现出色，达到了-80dBc@1GHz，这意味着在非工作频率上的干扰被有效抑制。该开关采用0.5μm GaAs pHEMT工艺制造，使用2×2mm的无铅QFN封装，拥有6个引脚，这种小型封装设计对于空间有限的移动设备来说尤为关键。
RF1450则是一款单刀四掷（SP4T）大功率开关，专为多模WCDMA应用而设计，提供卓越的线性性能。与RF1200一样，RF1450也有低插入损耗（最大0.60dB）、低控制电压和良好的杂散特性（-75dBc@1GHz）。值得一提的是，RF1450集成了解码逻辑，只需要两路控制线即可控制开关操作，简化了系统设计。它采用更紧凑的3×3×0.6mm无铅QFN封装，共有16个引脚，这使得它在处理多频段和多模操作时更为灵活。
GaAs pHEMT工艺是这两款开关的核心，这种工艺提供了高电子迁移率，从而提高了开关速度和效率，同时降低了功耗。在射频开关领域，GaAs工艺由于其优异的电气性能和高温稳定性，常被用于制造高性能的微波和毫米波组件。
这两款新的射频开关RF1200和RF1450的应用范围广泛，包括多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE 802.11a/b/g WLAN（无线局域网）以及蜂窝基础设施。它们的推出不仅体现了RFMD在射频技术领域的领先地位，而且将推动通信设备的性能提升，使用户能够享受到更稳定、更快的无线连接体验。
RFMD的RF1200和RF1450射频开关是射频技术的杰出代表，它们结合了先进的材料科学、工艺技术和创新设计，为移动通信和无线网络提供高效、低功耗的解决方案。随着无线技术的不断发展，这些高性能开关将为未来的通信系统提供更强的支撑。
