非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1400 mm×1100 mm×3.2 mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围(P1至P3的距离)为287μm,最终深度分别为0.98μm,0 .24μm和0.58μm,
