在接近SiO2/Si界面处硅中的杂质浓度由方程（3.48）可以求出： 图3.7 改进硅-硅直接键合的杂质扩散模型 由于在1100℃的键合温度下，杂质As在SiO2中的扩散系数为D2=3.58×10-16 cm2/s，在Si中的扩散系数D3 = 4.26×10-14 cm2/s，故 D3>> D2，所以杂质As在Si中扩散比在SiO2中扩散快得多，这就造成了Si对SiO2中的杂质As的“抽取”效应，使在界面处杂质的浓度急剧下降。相反，当D3<< D2时，扩散到界面的杂质不能有效的扩散走，这就会造成杂质在界面处的“积累”效应，使界面处杂质
