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NTLJD2105LTBG的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTLJD2105LTBG源漏极间雪崩电压VBR(V):-8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):4.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150描述:4.3A, 8V功率MOSFET价格/1片(套):暂无
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